WMJ90N65SR MOSFET參數(shù)詳解

基本信息

• 制造商：Wayon（維安） 代理商：東莞市美瑞電子有限公司單價(jià)優(yōu)勢(shì)明顯

• 類(lèi)型：N溝道超級(jí)結(jié)（Super Junction MOSFET）

• 封裝：TO-247

• 漏極至源極電壓（VDS）：650V

技術(shù)參數(shù)

• 導(dǎo)通電阻（RDS(on)）：在VGS=10V最大值時(shí)為0.03Ω

• 漏極電流（ID）：在TA=25℃時(shí)為99A

• 功率耗散（PD）：在TA=25℃時(shí)為460W

• 柵極電壓（VGS）：典型值為3.5V

• 開(kāi)啟閾值電壓（VGS(th)）：典型值為3.5V

優(yōu)勢(shì)特點(diǎn)

• 低功耗和高開(kāi)關(guān)速度：由于其超級(jí)結(jié)結(jié)構(gòu)，WMJ90N65SR具有非常低的導(dǎo)通電阻（RDS(on)），使得它在導(dǎo)通時(shí)損耗極小，從而實(shí)現(xiàn)了高效的能量轉(zhuǎn)換。

• 高電流承載能力：在標(biāo)準(zhǔn)工作條件下，WMJ90N65SR能夠安全地處理高達(dá)99A的漏極電流。

• 體積小巧：相比傳統(tǒng)的VDMOS工藝，WMJ90N65SR的晶源面積更小，這使得封裝出來(lái)的產(chǎn)品體積相對(duì)較小，有利于提高電源系統(tǒng)的功率密度。

電源產(chǎn)品

在電源產(chǎn)品中，WMJ90N65SR因其出色的導(dǎo)通損耗和溫升性能，被廣泛應(yīng)用于大功率、大電流類(lèi)的電源產(chǎn)品中。其低導(dǎo)通損耗大大提高了電源效率，減少了散熱器的體積需求，從而提高了系統(tǒng)的整體效率和可靠性。

LED照明

在LED照明領(lǐng)域，WMJ90N65SR的高效率和低功耗特性使其成為理想的驅(qū)動(dòng)器件。它不僅能夠提供穩(wěn)定的電流和電壓，還能有效減少能量損失，延長(zhǎng)LED的使用壽命。

購(gòu)買(mǎi)建議

在選擇WMJ90N65SR MOSFET時(shí)，建議通過(guò)正規(guī)渠道購(gòu)買(mǎi)，以確保產(chǎn)品的質(zhì)量和售后服務(wù)。例如，東莞市美瑞電子有限公司都是不錯(cuò)的選擇，他們提供的產(chǎn)品具有良好的性能和可靠的服務(wù)。

市場(chǎng)供應(yīng)信息

供應(yīng)商：東莞市美瑞電子有限公司
主營(yíng)業(yè)務(wù)：專(zhuān)注于銷(xiāo)售功率半導(dǎo)體元器件，包括進(jìn)口semihow和維安 亞成微 龍騰等多種MOSFET產(chǎn)品。
聯(lián)系人： 曾先生 153-3800-0102