維安超結MOSFET 聯系人： 曾先生 153-3800-0102
WMJ53N65F2是一款由WAYON生產的N溝道超級結（Super Junction）MOSFET，具有以下基本參數：
型號：WMJ53N65F2
制造商：WAYON
封裝形式：TO-220F
漏極至源極電壓（VDS）：650V
導通電阻（RDS(on)）：在VGS=10V（最大值）時，RDS(on)為0.078Ω。
漏極電流（ID）：在TA=25℃時，ID為50A。
功率損耗（PD）：在TA=25℃時，PD為34W。
柵極電壓（VGS）：典型值為3V。
開啟閾值電壓（VGS(th)）：典型值為3V。
市場供應信息
供應商：東莞市美瑞電子有限公司
主營業務：專注于銷售功率半導體元器件，包括進口semihow和維安 亞成微 龍騰等多種MOSFET產品。
維安超結MOSFET
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WMJ53N65F2是一款由WAYON生產的N溝道超級結（Super Junction）MOSFET，具有以下基本參數：
型號：WMJ53N65F2
制造商：WAYON
封裝形式：TO-220F
漏極至源極電壓（VDS）：650V
導通電阻（RDS(on)）：在VGS=10V（最大值）時，RDS(on)為0.078Ω。
漏極電流（ID）：在TA=25℃時，ID為50A。
功率損耗（PD）：在TA=25℃時，PD為34W。
柵極電壓（VGS）：典型值為3V。
開啟閾值電壓（VGS(th)）：典型值為3V。
市場供應信息
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主營業務：專注于銷售功率半導體元器件，包括進口semihow和維安 亞成微 龍騰等多種MOSFET產品。
維安超結MOSFET
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Tel: +86-769-21665206
Fax: +86-769-21665256
網址：m.turkcommunity.net
總部地址:廣東省東莞市萬江街道華爾泰路2號五盈科技園5棟3樓
經營產品：碳化硅器件、IGBT單管、IGBT模塊、肖特基/整流橋堆、低壓MOS、超結MOS管
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