Semihow HCA60R070F MOSFET 參數詳解

一、基礎參數概覽

1. 電壓與電流特性

   • 漏源電壓（VDS）：600V

   • 漏極電流（ID）：42A（@25℃）

   • 導通電阻（RDS(on)）：70mΩ

   • 柵源電壓范圍（VGS）：2.5V（最小值）至5V（最大值）

   • 最大功耗（PD）：272W（@25℃）

2. 封裝形式

   • 封裝類型：TO-247

二、核心技術與結構特點

1. 超結（Super Junction）技術

   • HCA60R070F 采用 超結（SJ）結構，相比傳統平面MOSFET，在高壓場景下顯著降低導通電阻（RDS(on)）和開關損耗，提升系統效率 。

   • 適用場景：高效率電源轉換（如開關電源、充電器）、電機驅動等高壓高頻應用 。

2. 晶圓與制造工藝

   • 晶圓由 三星代工生產，結合Semihow的功率半導體設計技術，優化了器件性能和可靠性 。

三、關鍵性能優勢

1. 低導通損耗

   • 70mΩ的低RDS(on)值在高壓應用中減少導通損耗，尤其適合高功率密度的緊湊型設計 。

2. 溫升控制

   • 優異的散熱性能使其在35-65W小體積PD充電器中表現突出，溫升控制優于同類平面MOSFET 。

3. 快速反向恢復（Fast TRR）

   • 搜索結果中提及 快速反向恢復特性（Fast TRR），可降低開關過程中的能量損耗，提升系統整體效率 。

四、典型應用場景

1. 電源系統

   • 開關電源（SMPS）、高效率多形態電源（如PD快充適配器） 。

2. 電機驅動

   • 工業電機控制、電動車驅動模塊 。

3. 其他領域

   • 汽車電子（如LED照明系統）、消費類電子設備的高壓電源管理 。

五、廠商與供應鏈信息

• 制造商：Semihow（韓國功率半導體公司，成立于2002年） 。

• 代理商：東莞市美瑞電子有限公司

六、注意事項

• 柵極驅動要求：需確保VGS在2.5-5V范圍內，避免過壓損壞 。

• 散熱設計：TO-247封裝需配合適當散熱方案以發揮最大功耗能力 。