HCA60R099F MOSFET參數詳解

基本參數

HCA60R099F是一款超結高壓MOSFET，具有以下基本參數：

• 漏源電壓(Vdss): 600V

• 連續漏極電流(Id): 31A

• 功率(Pd): 35W

在高效能和高電壓的應用場景中表現出色。

技術特性

HCA60R099F采用了先進的超結技術，相較于傳統的平面MOSFET，具有以下技術優勢：

• 低導通電阻(RDS(on)): 這意味著在相同的柵極電壓下，HCA60R099F的導通電阻更小，從而提高了整體的能效。

• 高效率: 由于其低導通電阻的特性，HCA60R099F能夠實現更高的開關效率和更低的能量損耗。

應用場景

HCA60R099F因其出色的性能，在多個領域有著廣泛的應用：

• 高效率多形態電源產品: HCA60R099F的應用非常廣泛。

• 電機驅動和DC-DC轉換器: 在電機驅動和DC-DC轉換器中，HCA60R099F的高效率和低導通電阻特性可以顯著提高系統的整體性能和可靠性。

代理商信息

HCA60R099F在中國大陸地區有多家代理商，如東莞市美瑞電子有限公司等，這些代理商負責產品的銷售和服務工作。

聯系人： 曾先生 153-3800-0102