mos管一般就是pmos，靠空穴流動運送電流的mos管。那要如何選擇一個合適的mos管呢？

　　一、選擇n溝道還是p溝道。在典型的功率應用中，mos管接地，負荷連接到干線電壓時，該mos管管構成低壓側開關。在低壓側開關中，應采用n溝道mos管，這是關閉或導通部件所需的電壓。mos管連接到總線和負荷接地時，請使用高壓側開關。通常在這個中采用p溝道的mos管，也是為了考慮電壓驅動。選擇適合應用的設備，必須確定驅動設備所需的電壓和設計中比較簡單的執行方法。

　　二、確定額定電流。根據電路結構，這個額定電流應該是所有情況下都能承受的較大電流。與電壓狀況類似，設計人員務必確保選用的mos管能夠承種額定電流，即使系統產生尖峰電流。兩個考慮的電流狀況是連續模式和脈沖高峰。在連續導向模式下，mos管穩定，此時電流連續通過設備。脈沖尖峰是指大量電涌(或尖峰電流)流過設備。只要確定了這些條件下的較大電流，就可以直接選擇能夠承受這個較大電流的設備。

　　三、計算導通損失。實際上，mos管不是理想的設備。因為在導電過程中會產生電力損失，所以被稱為導電損失。mos管在“導通”時像可變電阻，由設備的RDS(ON)決定，隨著溫度而顯著變化。設備的功力消耗可以用Iload2×RDS(ON)計算，由于導通電阻隨溫度的變化，電力消耗也會按比例變化。對mos管施加的電壓VGS越高，RDS(ON)越小，RDS(ON)越高。對于系統設計者來說，這是根據系統的電壓需要折中權衡的地方。在便攜式設計中，采用較低的電壓更容易(更常見)，而對于工業設計，可以使用較高的電壓。請注意RDS(ON)電阻隨電流稍微上升。RDS(ON)電阻的各種電參數變化可以在制造商提供的技術資料表中找到。

　　四、確定熱要求。設計人員必須考慮兩種不同的情況，建議采用很不好的情況計算結果。因為這個結果提供了更大的安全馀量，所以系統不會失效。mos管的資料表上有需要注意的測量數據，例如包裝部件的半導體結和環境之間的熱阻和較大結溫。

　　設備的結溫等于環境溫度極限和熱阻和功率消耗的乘積(結溫=較大環境溫度+[熱阻×功率消耗])。根據該方程可以解決系統的較大功率消耗，即根據定義相當于I2×RDS(ON)。設計者決定通過設備的較大電流，因此可以計算不同溫度的RDS(ON)。值得注意的是，在處理簡單的熱模型時，設計者還必須考慮半導體結/設備外殼和外殼/環境的熱容量，即印刷電路板和封裝不會立即升溫。

　　五、決定開關的性能。影響開關性能的參數有很多，但重要的是柵極/漏極、柵極/源和漏極/源極電容器。這些電容器在設備中產生開關損失。因為每次開關都要充電。mos管的開關速度下降，設備效率也下降。為了計算開關中設備的總損失，設計者必須計算開關中的損失(Eon)和關閉中的損失(Eoff)。MOSFET開關的總功率如下:Psw=(Eon+Eoff)×開關頻率。柵極電荷(Qgd)對開關性能的影響非常大。

　　那么今天的講解就先到這里了，以上就是今天的全部內容，相信大家對如何正確選擇mos管也有了一定的認識。非常感謝您的耐心閱讀。如還想了解更多關于mos管的相關問題，您可以撥打右上角的服務熱線，與我們咨詢。