6月13日，上海證券交易所受理了蘇州鍇威特半導體股份有限公司（簡稱：鍇威特）的科創板上市申請。

據了解，鍇威特主要從事功率半導體的設計、研發和銷售，并提供相關技術服務。公司堅持“自主創芯，助力核心芯片國產化”的發展定位，主要產品包含功率器件及功率IC兩大類。

在功率器件方面，公司產品以高壓平面MOSFET為主，并在平面MOSFET工藝平臺基礎上設計研發了集成快恢復高壓功率MOSFET（FRMOS）系列產品；在功率IC方面，公司專注于功率驅動IC和電源管理IC。此外，在第三代半導體方面，公司的SiC功率器件已小批量出貨。

通過自主創新和技術沉淀，公司已同時具備功率器件和功率IC的設計、研發能力。公司掌握了功率半導體芯片的前端設計技術和特色晶圓制造工藝，現已搭建多個功率半導體細分產品的技術平臺。

憑借高性能的產品，蘇州鍇威特半導體在行業內形成了較強的市場競爭力。結合Omdia研究數據，以發行人2020年MOSFET產品銷售額測算，蘇州鍇威特半導體全球MOSFET市場的市場份額約為0.23%；另根據江蘇省半導體行業協會統計，2020年蘇州鍇威特半導體FRMOS產品的國內市場占有率約為6%，位列本土企業第四位；SiC功率器件方面，公司是國內為數不多的具備650V-1700V SiC MOSFET設計能力的企業之一，產品已覆蓋業內主流電壓段。

三年間經營業績穩步增長

近年來，隨著消費電子、工業控制、新能源汽車市場的高速成長，推動鍇威特的功率半導體業務持續發展。

公司堅持在高可靠領域芯片國產化替代的戰略方向，洞察市場需求導向，進行自主研發和創新，將科技成果與產業深度融合。憑借自主研發的高性能產品，鍇威特也與多家高可靠領域客戶建立了合作關系。

截至目前，鍇威特已擁有包括平面MOSFET、功率IC等近700款產品。憑借產品可靠性高、參數一致性好等特點，公司迅速在細分領域打開市場，產品廣泛應用于消費電子、工業控制及高可靠領域，客戶包括以晶豐明源、必易微、芯朋微、燦瑞科技為代表的芯片設計公司及多家高可靠領域客戶，并且產品已被小米、美的、雷士照明、佛山照明等終端客戶所采用。

具體來看，在功率器件方面，公司已同時具備硅基及SiC基功率器件的設計、研發能力，積累了多項具有原創性和先進性的核心技術，其中3項達到國際先進水平，1項達到國內領先水平。

其中，在平面MOSFET方面，公司核心技術具體包括“高可靠性元胞結構”“新型復合終端結構及實現工藝技術”等。其中，公司利用“高壓MOSFET的少子壽命控制及工藝實現技術”研發并量產的FRMOS產品具有反向恢復時間短、漏電流小、高溫特性好、反向恢復特性較軟、低電磁干擾的優勢特性；在第三代半導體器件方面，公司利用掌握的“短溝道碳化硅MOSFET器件系列產品溝道控制及其制造技術”實現了SiCMOSFET穩定的性能和優良的良率控制。上述核心技術有效提升了公司產品性能指標，增強了產品市場競爭力。

蘇州鍇威特半導體股份有限公司近三年財務數據

在功率IC方面，公司基于0.8um 700V BCD、0.5um 600V SOIBCD和0.18um 40V BCD工藝設計平臺，完成了多款功率IC所需的IP設計與驗證，并基于已驗證的IP成功開發了近40款功率IC產品；公司自主研發了“一種全電壓范圍多基準電壓同步調整電路及高精準過壓保護電路”“一種輸入失調電壓自動修正電路”等核心技術，有效提升了產品參數一致性，增強了產品可靠性。

憑借強有力的產品線，鍇威特近三年的主營業務收入也迎來持續的增長。從2019-2021年，公司主營業務收入分別為10,575.54萬元、13,383.49萬元和20,318.15萬元，2020年和2021年同比分別增長26.55%和51.82%。其中，平面MOSFET為公司實現大規模銷售的主要產品，該產品收入占主營業務收入的比例分別為86.71%、88.39%和83.07%。

募資約5.3億元投建三大功率半導體等項目

招股書顯示，鍇威特此次IPO擬募資約5.3億元，投建智能功率半導體研發升級項目、SiC功率器件研發升級項目、功率半導體研發工程中心升級項目，以及用于補充營運資金。

圖源：蘇州鍇威特半導體股份有限公司招股書

其中，智能功率半導體研發升級項目主要涉及公司的主營產品功率器件、功率IC、IPM、光繼電器（Photo MOS）等系列產品的技術升級、工藝制程優化及部分新品類的研發及規?；慨a。其中，功率器件主要包括高可靠性高壓平面MOSFET（包括 FRMOS）、第三代超結 MOSFET（SJMOS-FD）、40V-200V 屏蔽柵 MOSFET 產品；功率 IC 包括高壓高速柵極驅動 IC、高功率密度電源管理IC 產品。

該項目實施旨在繼續加強公司在功率半導體產品的技術積淀，保持在功率器件、功率 IC、IPM、光繼電器（Photo MOS）產品的領先優勢，挖掘高性能智能功率半導體的發展潛力，打造全系列產品的技術創新平臺，致力于成為市場一流的高性能、智能化功率半導體供應商。

而SiC功率器件研發升級項目主要涉及650V-1700V SiC MOSFET、650V1700V SiC SBD工藝優化、器件升級及SiC功率模塊的規?；慨a。

在SiC功率器件方面，一是SiCMOSFET、SiCSBD由4寸晶圓升級到6寸晶圓的研制；二是在SiCMOSFET基礎上開發集成SBD器件，開發出650V和1200V的SiCSKMOS。

在SiC功率模塊方面，包括SiCSKMOS功率模塊和集成功率驅動的SiCSKMOSIPM智能功率模塊的研發。SiC功率器件及SiC功率模塊的研發、規模化量產及銷售，可以有效豐富公司產品品類，擴大產品的應用范圍，提高公司SiC產品的供貨能力，從而提高公司盈利水平。

功率半導體研發工程中心升級項目將對功率器件和模塊封裝可靠性、SiC高溫封裝、應用、基于 SiC MOSFET 制作光繼電器（Photo MOS）以及數字電源進行持續深入研究。該項目基于公司現有技術進行了前瞻性布局，有利于提升公司的技術創新能力，進一步豐富技術儲備。項目的實施一方面可以推動公司現有產品的優化升級，提升公司產品附加值；另一方面可以推動研發成果的成功轉化，有助于豐富公司的產品種類，開拓新的產品應用領域，增強公司的盈利能力。

此外，在器件可靠性考核與測試應用能力方面，隨著可靠性實驗室及測試應用中心的建設，公司通過購置先進的測試設備，有利于完備公司可靠性考核能力，有助于提高產品良率，提升出廠產品的質量，更好的滿足和服務于工業級及高可靠領域客戶對產品品質的需求，同時，也使得公司具備完善的測試評價平臺，并能夠有效制作產品應用方案，指導客戶更好的使用公司產品，從而有利于產品的市場推廣。

未來，公司將繼續專注于功率半導體的設計、研發與銷售，堅持“自主創芯，助力核心芯片國產化”的發展定位，聚焦消費電子、工業控制和高可靠領域，在新能源汽車、光伏能源、軌道交通、智能電網等領域展開布局；在目前掌握的核心技術基礎上，展開產品系列化及下游市場的進一步拓展、延伸。