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新潔能:公司SiC MOSFET等產(chǎn)品正處于流片驗(yàn)證階段,目前進(jìn)展順利

新潔能的主營(yíng)業(yè)務(wù)為MOSFET、IGBT等半導(dǎo)體芯片和功率器件的研發(fā)設(shè)計(jì)及銷(xiāo)售。其主要產(chǎn)品是MOSFET、IGBT等半導(dǎo)體功率器件,銷(xiāo)售的產(chǎn)品按照是否封裝可以分為芯片和封裝成品。新潔能產(chǎn)品系列齊全,廣泛應(yīng)用于消費(fèi)電子、汽車(chē)電子、工業(yè)電子、新能源汽車(chē)/充電樁、智能裝備制造、物聯(lián)網(wǎng)、光伏新能源等領(lǐng)域。新潔能為國(guó)內(nèi)領(lǐng)先的半導(dǎo)體功率器件設(shè)計(jì)企業(yè)之一,在中國(guó)半導(dǎo)體行業(yè)協(xié)會(huì)發(fā)布的2016年、2017年、2018年和2019年中國(guó)半導(dǎo)體功率器件企業(yè)排行榜中,連續(xù)四年名列“中國(guó)半導(dǎo)體功率器件十強(qiáng)企業(yè)”。新潔能為國(guó)內(nèi)MOSFET等功率器件市場(chǎng)占有率排名前列的本土企業(yè)。

據(jù)了解, 新潔能與科研院所在功率器件設(shè)計(jì)領(lǐng)域開(kāi)展長(zhǎng)期合作,針對(duì)重點(diǎn)項(xiàng)目成立了技術(shù)攻關(guān)小組。新潔能持續(xù)推進(jìn)高端MOSFET、IGBT的研發(fā)和產(chǎn)業(yè)化,在已推出先進(jìn)的超結(jié)功率MOSFET、屏蔽柵功率MOSFET和超薄晶圓IGBT數(shù)款產(chǎn)品基礎(chǔ)上,進(jìn)一步對(duì)上述產(chǎn)品升級(jí)換代。

新潔能目前亦率先在國(guó)內(nèi)研發(fā)并量產(chǎn)基于12英寸芯片工藝平臺(tái)的MOSFET產(chǎn)品,新增開(kāi)發(fā)多款模塊產(chǎn)品及功率IC產(chǎn)品以不斷豐富產(chǎn)品品類(lèi);并進(jìn)一步提前布局半導(dǎo)體功率器件最先進(jìn)的技術(shù)領(lǐng)域,開(kāi)展對(duì)SiC/GaN寬禁帶半導(dǎo)體功率器件的研發(fā)與產(chǎn)業(yè)化,緊跟最先進(jìn)的技術(shù)梯隊(duì),提升新潔能核心產(chǎn)品競(jìng)爭(zhēng)力和國(guó)內(nèi)外市場(chǎng)地位。

在產(chǎn)能產(chǎn)線(xiàn)問(wèn)題上,新潔能表示,公司是國(guó)內(nèi)僅有的同時(shí)在華虹宏力一廠、二廠、三廠以及七廠(12英寸)開(kāi)展產(chǎn)品開(kāi)發(fā)和大生產(chǎn)業(yè)務(wù)的設(shè)計(jì)公司。公司今年在保證原有8英寸平臺(tái)產(chǎn)能相對(duì)穩(wěn)定的基礎(chǔ)上,通過(guò)與華虹宏力12英寸平臺(tái)開(kāi)展業(yè)務(wù)合作等方式積極擴(kuò)充產(chǎn)能;目前整體產(chǎn)能水平相比2020年已有較為明顯的提升。從歷史發(fā)展來(lái)看,公司歷年的產(chǎn)能均保持穩(wěn)定增長(zhǎng)的水平。

1月4日,新潔能公司表示,SiC MOSFET、GaN HEMT產(chǎn)品正處于流片驗(yàn)證階段,目前整體進(jìn)展順利。

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