以下是碳化硅MOS（SiC MOSFET）主要品牌及其工廠規模的梳理，結合技術布局和市場競爭格局分析：

一、國際品牌

1. 英飛凌（Infineon）（德國）

   • 工廠規模：馬來西亞居林工廠三期項目建成后將成為全球最大8英寸碳化硅晶圓廠，總投資超50億歐元，覆蓋襯底到封裝全產業鏈。

   • 技術優勢：車規級產品市占率領先，覆蓋650V-1200V電壓范圍，主攻電動汽車主驅逆變器市場。

2. 意法半導體（STMicroelectronics）（瑞士）

   • 工廠規模：全球布局研發中心，意大利、法國等地設有生產基地，碳化硅產能持續擴張以滿足車規需求。

   • 市場地位：全球前五大廠商之一，占約70%市場份額，主攻電動汽車和工業領域。

3. 羅姆（Rohm）（日本）

   • 工廠規模：在日本、東南亞等地設有SiC晶圓廠，2023年宣布投資5.1億美元擴產，目標2030年碳化硅營收占比超30%。

   • 技術特點：早期布局碳化硅商業化，產品覆蓋650V-1700V，與車企深度合作。

4. 安世半導體（Nexperia）（荷蘭）

   • 工廠規模：荷蘭總部主導研發，美國、馬來西亞設廠，2024年啟動8英寸碳化硅晶圓試產，計劃2025年量產。

   • 應用領域：聚焦電動汽車驅動系統和工業變頻器。

5. Wolfspeed（美國）

   • 工廠規模：全球首家量產8英寸碳化硅襯底，2024年襯底產能支撐25%晶圓產線利用率，計劃進一步擴產。

   • 市場定位：襯底供應龍頭，覆蓋車規級和工業級市場。

二、中國品牌

1. 三安光電（Sanan）

   • 工廠規模：湖南三安擁有16,000片/月6英寸產能，8英寸襯底試生產，車規級MOSFET進入驗證階段。

   • 技術進展：工規級1700V/1Ω和1200V/32mΩ產品已在光伏和充電樁領域小規模出貨。

2. 士蘭微（Silanw）

   • 工廠規模：2024年開工8英寸SiC產線，總投資120億元，規劃產能6萬片/月，2025年三季度通線。

   • 產品布局：工規級MOSFET量產，車規級產品驗證中。

3. 比亞迪半導體

   • 工廠規模：2024年下半年投產全球最大碳化硅工廠，產能為第二名的十倍，覆蓋車規全產業鏈。

   • 市場目標：打破海外壟斷，主攻新能源汽車主驅逆變器。

4. 中電科55所

   • 技術地位：國內最早實現碳化硅MOSFET量產，聚焦軍工和高端工業領域。

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   • 泰科天潤（中國碳化硅功率器件核心廠商之一）的工廠規模及技術布局梳理：

5.泰科天潤 湖南瀏陽基地

• • 6英寸產線：一期工程于2023年建成，年產能6萬片；2024年擴建二期后總產能提升至10萬片/年。

  • 應用領域：主要生產SiC二極管、MOSFET等器件，覆蓋光伏逆變器、充電樁、電動汽車等領域。

• 北京順義總部基地

  • 8英寸產線：2023年啟動建設，計劃2025年通線投產，2028年達產后年產2萬片8英寸晶圓。

  • 功能定位：集研發中心、總部辦公及高端器件生產于一體，重點服務新能源汽車、國家電網等市場。

• 二、產能擴張與投資情況

• 投資規模：湖南基地總投資約5億元（一期），北京基地一期投資4億元，累計投資超9億元。

• 設備與技術：湖南基地新增生產設備實現6英寸晶圓全流程生產，北京基地引入8英寸先進工藝設備。

• 三、技術布局與產品線

• 核心產品：

  • 650V-3300V碳化硅二極管（SBD），覆蓋1A-100A電流范圍；

  • 1200V SiC MOSFET，已實現批量銷售。

• 技術優勢：通過國際認證（如AEC-Q101、DNV·GL等），產品性能對標國際大廠。

• 四、產業鏈整合與市場應用

• IDM模式：覆蓋襯底、晶圓制造、器件封裝全產業鏈，自主可控能力突出。

• 應用領域：

  • 新能源：光伏逆變器、儲能系統；

  • 電動汽車：OBC、車載DC-DC；

  • 工業：通信電源、服務器電源。

• 五、行業地位與發展規劃

• 國內領先：中國首家實現碳化硅器件量產的IDM企業，累計流片超3萬片，通過一線大廠審廠。

• 目標規劃：2025年8英寸產線投產后，進一步打破國際壟斷，提升車規級產品占比

三、市場競爭格局

• 頭部集中度高：全球前五大廠商（英飛凌、ST、Wolfspeed、羅姆、安森美）占據約70%市場份額。

• 技術迭代加速：國際大廠主導8英寸產線升級（如英飛凌、Wolfspeed），中國廠商主攻6英寸產能擴張（三安、士蘭微）。

• 應用場景：電動汽車占碳化硅市場77%，預計2029年占比增至82%。

數據來源與擴展

• 全球市場規模：2023年約27億美元，預計2029年達104億美元