超結MOS(Super Junction MOSFET)是一種高壓功率器件,旨在提升傳統MOSFET的性能,尤其在高壓應用中表現突出。其獨特的結構設計有效降低了導通電阻和開關損耗,廣泛應用于電源轉換、電機驅動等領域。
傳統MOSFET在高電壓下存在以下問題:
導通電阻高:隨著耐壓增加,導通電阻迅速上升,導致導通損耗增大。
開關損耗大:高壓下開關速度慢,損耗顯著。
20世紀90年代,超結MOS技術應運而生,通過交替排列的P型和N型柱結構,優化了電場分布,顯著降低了導通電阻。
結構:由交替的P型和N型柱組成,形成多個PN結。
原理:在關斷狀態下,PN結耗盡層擴展,均勻分布電場;在導通狀態下,電流通過低電阻通道,減少損耗。
低導通電阻:相同耐壓下,導通電阻顯著低于傳統MOSFET。
低開關損耗:快速開關特性降低了開關損耗。
高耐壓能力:適用于高壓應用。
制造超結MOS的關鍵在于精確控制P型和N型柱的摻雜濃度和尺寸,主要工藝包括:
深槽刻蝕:形成交替的P型和N型柱。
多外延生長:逐層生長并摻雜,形成超結結構。
電源轉換:如AC-DC、DC-DC轉換器。
電機驅動:如工業電機、電動汽車。
照明:如LED驅動電源。
工藝優化:進一步提升性能和可靠性。
新材料應用:如碳化硅(SiC)和氮化鎵(GaN)。
集成化:與其他器件集成,提升系統效率。
超結MOS通過創新的結構設計,顯著提升了高壓功率器件的性能,未來隨著技術進步,將在更多領域發揮重要作用。