肖特基二極管（Schottky Diode），也稱肖特基勢壘二極管，其內部結構相對獨特，主要由以下部分組成：

一、主要構成部分

1. • 肖特基二極管的內部結構示意圖通常展示為一個五層器件，從下到上依次為：

   • N+陰極層：這是肖特基二極管的最底層，與陰極金屬相連，用于減小陰極的接觸電阻。

   • N型基片：位于N+陰極層之上，具有較小的通態電阻，是肖特基二極管中電子傳輸的主要通道。

   • N-外延層：這是N型基片之上的一層，摻雜濃度較低，通常使用砷等雜質進行摻雜。

   • 肖特基勢壘層：這是由金屬與N-外延層緊密接觸后形成的特殊區域。當金屬與N型半導體接觸時，由于兩者的功函數不同，會在接觸界面處形成電子勢壘，即肖特基勢壘。這個勢壘阻礙了電子從半導體向金屬的流動，同時也限制了反向電流的大小。

   • 陽極金屬：這是肖特基二極管的頂層，通常由金、銀、鋁、鉬等貴金屬制成。陽極金屬與N-外延層之間通過肖特基勢壘相連，形成二極管的整流結構。

二、肖特基勢壘

通過調整結構參數，在N型基片和陽極金屬之間形成肖特基勢壘。這是肖特基二極管工作的關鍵部分。

三、工作原理

1. 正向偏壓：當在肖特基勢壘兩端加上正向偏壓（陽極金屬接電源正極，N型基片接電源負極）時，肖特基勢壘層變窄，其內阻變小，二極管處于導通狀態。

2. 反向偏壓：當在肖特基勢壘兩端加上反向偏壓時，肖特基勢壘層變寬，其內阻變大，二極管處于截止狀態。

四、工藝結構

肖特基二極管主要有兩種工藝結構：

1. 點接觸結構：用一根尖端細金屬絲與半導體接觸制成，通過機械接觸或用放電工藝得到一個很小的合金結。

2. 平面接觸結構：具有更大的接觸面積，通常用于需要更高電流容量的應用。

五、特點與應用

肖特基二極管具有正向導通壓降?。s0.45V）、反向恢復時間短、開關損耗小等特點，是一種低功耗、超高速半導體器件。然而，其反向耐壓值較低，反向漏電流較大，因此適用于低壓、大電流、高頻整流等場合。