在OBC的拓撲結(jié)構(gòu)中，IGBT主要用于PFC電路和DC-DC轉(zhuǎn)換電路，IGBT在車載OBC產(chǎn)品中的核心作用是實現(xiàn)高效的電能轉(zhuǎn)換，提升功率密度，并在高壓高頻工作環(huán)境下保持高可靠性。
2024-09-26碳化硅內(nèi)絕緣封裝結(jié)構(gòu)是通過多層絕緣、導(dǎo)熱、和保護結(jié)構(gòu)的集成，確保SiC器件在高壓、高溫、高功率條件下穩(wěn)定運行。通過選擇合適的材料和封裝設(shè)計，可以最大程度地發(fā)揮碳化硅的高性能優(yōu)勢，使其廣泛應(yīng)用于電動汽車、工業(yè)電力..
2024-09-24中國大陸的超結(jié)MOSFET市場有多家廠商參與，各品牌在技術(shù)能力、產(chǎn)品應(yīng)用領(lǐng)域和市場定位上各具特色。華潤微、士蘭微等品牌在國內(nèi)市場具備廣泛的影響力，具有成熟的產(chǎn)品線，而揚杰科技、聞泰科技等在特定應(yīng)用領(lǐng)域也有其獨特..
2024-09-24碳化硅二極管的制備方法，SiC二極管具有高耐壓、低導(dǎo)通損耗、高溫穩(wěn)定性等優(yōu)點，廣泛應(yīng)用于電力電子器件中。其制備過程主要涉及碳化硅材料的生長、摻雜、圖形化工藝、金屬化等步驟。
2024-09-24IGBT工作原理介紹-將MOSFET和BJT的優(yōu)點結(jié)合在一起，在高效能電力電子應(yīng)用中實現(xiàn)了高電流開關(guān)和低損耗操作。
2024-09-18國產(chǎn)溝槽型碳化硅MOSFET正式問世,此次碳化硅溝槽型MOSFET芯片制造技術(shù)的突破不僅填補了我國在該領(lǐng)域的技術(shù)空白，更為相關(guān)產(chǎn)業(yè)帶來巨大的經(jīng)濟效益和技術(shù)提升。
2024-09-09東莞市美瑞電子有限公司，超結(jié)MOS（Super Junction MOSFET）產(chǎn)品中的099內(nèi)阻與070，038內(nèi)阻型號已實現(xiàn)大量出貨，標志著美瑞在大功率半導(dǎo)體領(lǐng)域的夯實一步。
2024-09-09本文為您介紹超結(jié)MOSFET的生產(chǎn)工藝，和應(yīng)用。超結(jié)MOS作為一種創(chuàng)新的半導(dǎo)體器件技術(shù)，通過其獨特的超結(jié)結(jié)構(gòu)設(shè)計，在降低導(dǎo)通電阻、提高開關(guān)速度、減小芯片體積、降低發(fā)熱和提升效率等方面展現(xiàn)出顯著優(yōu)勢。
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